为半导体制造中各类含臭氧尾气工艺提供专业、定制化的处理方案。覆盖从薄膜沉积到清洗的全工艺流程。
化学气相沉积（CVD）工艺中，臭氧常用作氧化剂。PECVD 和 LPCVD 设备产生的含臭氧尾气需要高效处理，确保排放达标。
原子层沉积（ALD）工艺对尾气残留极其敏感，要求臭氧破坏后的出口浓度达到 ppb 级别，确保薄膜质量不受影响。
MOCVD 工艺尾气除含臭氧外，还含有金属有机前驱体（如 TMGa、TMA）。需要特殊催化剂配方实现同步处理。
灰化炉使用臭氧/O₂ 等离子体去除光刻胶，产生含臭氧尾气。高频率的批次处理要求尾气破坏器具备快速响应能力。
湿法清洗工艺中使用臭氧水（DI O₃ water）进行晶圆清洗，溶解态臭氧挥发形成含臭氧尾气，需要有效的收集和处理。
喷涂工艺中利用臭氧进行辅助氧化，产生含臭氧和有机溶剂的混合尾气，需要针对性的催化处理方案。