ALD 原子层沉积

工艺概述

ALD 工艺通过交替脉冲前驱体和反应物（包括臭氧），在晶圆表面逐层沉积超薄薄膜。每个 ALD 循环中，未反应的臭氧需要被彻底分解。ALD 工艺对尾气处理的要求极高，需要确保超低残留和快速响应。

尾气特征

• 脉冲式进气

  ALD 工艺为脉冲式进气，要求尾气破坏器快速响应

• 超低残留要求

  ALD 工艺对尾气处理效率要求极高，确保无臭氧残留

• 精确控制

  需要与 ALD 工艺控制器联动的精确尾气管理