MOCVD 金属有机化学气相沉积

工艺概述

MOCVD 工艺使用金属有机源（如 TMGa、TMIn 等）和反应气体在高温下沉积 III-V 族化合物半导体薄膜。工艺过程中产生的尾气含有未反应的金属有机源、氢化物及臭氧等，需要专业的尾气处理系统。

尾气特征

• 高浓度尾气

  MOCVD 工艺产生高浓度金属有机源尾气

• 复合处理需求

  需要同时处理多种有害气体的综合尾气处理方案

• 高安全性要求

  尾气处理系统需满足严格的安全标准